SIHG64N65E-GE3-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:58mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为55A，漏源电压额定值为650V，导通电阻为58mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、可再生能源接入设备及高功率密度的电力电子系统。其低RDS(on)有助于降低导通阶段的功率耗散，而宽VGS范围则增强了与多种驱动电路的兼容性，提升系统运行的可靠性与稳定性。
