TK14V65W,LQ_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:14A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:315mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有14A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻为315mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与导通损耗，适用于对能效和热管理要求较高的电源转换系统。其电气参数组合使其在中等功率等级下具备良好的性能平衡，适合用于各类高效电力电子装置中的开关控制环节。
