TK090Z65Z,S1F_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备高击穿电场强度和低导通损耗特性，适用于高频开关电源、高效能转换器等对效率与热管理有较高要求的电力电子应用，在紧凑布局中仍能维持稳定可靠的开关性能。
