C3D100065U_module-UP_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：module-UP 类别：碳化硅二极管 最小包装：8/托盘 参数1：IF:100A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.5V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管额定持续正向电流为100A，反向重复峰值电压为650V，适用于中高压功率转换应用。其正向导通压降为1.5V，在高电流密度下仍保持稳定电性能。反向漏电流为100μA，具备良好的阻断特性与温度适应性。器件可承受500A的非重复浪涌电流，提供可靠的瞬态过载保护能力。基于碳化硅材料的高速开关特性，该二极管反向恢复电荷小，开关损耗低，适用于高频整流拓扑、高效直流电源模块及高功率密度能量变换系统，有助于提升整体能效并支持紧凑化设计。
