TK110A65Z,S4X_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有18A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件依托碳化硅材料的高击穿电场与优异热导率，在高频、高效率的电源拓扑中表现出低开关损耗和良好的热稳定性。适用于对体积、效率及动态性能有较高要求的电力电子系统，如开关电源、储能变换器及高频逆变结构。
