IPBE65R115CFD7AATMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:31A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为31A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与快速开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。其宽电压驱动能力增强了栅极控制的灵活性，同时在高温环境下仍能保持稳定电气性能，适合对能效和热管理要求较高的应用场景。
