FCMT099N65S3-HXY_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:37A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至94mΩ，可在栅源电压范围-10V至@5V内可靠运行。得益于碳化硅材料的高临界电场强度和热导率，器件在高频开关条件下仍保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备，有助于提升系统整体性能与可靠性。
