STW26N65DM2-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的漏极电流能力，漏源电压额定值为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备高击穿电压与较低导通损耗的特性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配性，在开关电源、可再生能源变换器及高密度电力电子模块中可实现稳定可靠的性能表现。
