FCH125N65S3R0-F155-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:32A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中展现出较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源、服务器电源、光伏逆变系统及对功率密度有较高要求的电力电子设备。
