AOK065V65X2_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:58mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为58mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关应用中表现出较低的导通损耗与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于对效率、功率密度及动态响应有较高要求的电源转换系统，可在高负载条件下维持稳定运行。
