TK090A65Z,S4X_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有18A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于对功率密度和能效有较高要求的电源转换系统。其电气参数组合使其能够在紧凑型设计中实现可靠的性能表现。
