STE145N65M5-HXY_SOT-227_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-227 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：13/管装 参数1：ID:165A 参数2：VDSS:750V 参数3：RDON:11mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有165A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压达750V，导通电阻低至11mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效，适合用于对性能和可靠性要求较高的电力电子应用场合。
