ST8L65N044M9-HXY_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:44mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、可再生能源转换系统及大功率充电装置等应用，有助于提升整体能效并简化热管理设计。
