GD2X60MPS06N-HXY_SOT-227_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-227 类别：碳化硅二极管 最小包装：13/管装 参数1：IF:250A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，具备优异的导通与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态耐受能力。器件适用于对效率、热性能及可靠性要求较高的高频电源转换场景，尤其在需要高功率密度与快速开关响应的电力电子系统中表现突出。
