IPBE65R099CFD7AATMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:34A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:95mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有34A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为95mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的应用场景，如数据中心电源、光伏逆变系统以及高频率AC-DC或DC-DC转换器等。
