UJ3C065080K3S-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统、可再生能源并网设备以及高密度电力电子模块中，能够支持紧凑型电路设计与长期稳定运行。
