IPP100N10S305AKSA1-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:4.1mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其高电流承载能力与低导通损耗特性，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换及功率管理场景。器件结构支持快速开关操作，在高频工作条件下仍能保持较低的功率损耗，适合用于各类高效能电子系统中的功率开关功能。
