GD2X100MPS06N_SOT-227_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:SOT-227 类别:碳化硅二极管 最小包装:13/管装 参数1:IF:250A 参数2:VR:650V 参数3:VF:1.4V 参数4:IR:100uA 标价:欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管额定正向电流(IF)为250A,反向重复峰值电压(VR)达650V,正向压降(VF)为1.4V,反向漏电流(IR)仅为100μA,表现出低导通损耗与高阻断能力。其浪涌正向电流(IFSM)高达600A,可有效应对瞬态过流工况。器件适用于高频、高效率电源系统,尤其在对热管理与开关性能有严苛要求的电力转换场合中具有显著优势。
