PJMF099N60EC_T0_00601_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有18A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。其结构利用碳化硅材料优势，在高频开关操作中展现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统、服务器电源及可再生能源相关设备，能够在紧凑布局下维持稳定的电气特性。
