TK090N65Z,S1F_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、36A的连续漏极电流（ID）和75mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关操作中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。其宽栅压范围有助于提升驱动兼容性，并支持在严苛电气环境下的稳定运行。
