IPW65R070C6FKSA1-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温性能与开关效率，适用于对功率密度和能效要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体效率，并简化散热设计。
