NTBL050N65S3H-HXY_TOLLS_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLLS 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：ID:63A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:58mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有63A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为58mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通电阻有助于减小导通损耗，提升系统整体能效，同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。
