SQW33N65EF-GE3-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:32A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的优势，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及对热性能要求较高的电力电子应用。其电气参数支持在宽驱动电压范围内稳定运行，有助于简化驱动电路设计并提升系统可靠性。
