FCH099N65S3-F155-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为36A，漏源击穿电压为650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下具备较低的导通与开关损耗，同时支持较高的工作结温。适用于高效率电源、可再生能源转换系统及大功率充电装置等应用，可在紧凑设计中实现稳定的电气性能与良好的热管理。
