IPW65R080CFDFKSA2-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、36A的连续漏极电流（ID）以及75mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅极驱动电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源、可再生能源转换系统及紧凑型电力电子设备，在提升能效和减小系统体积方面具有显著优势。
