IPWS65R050CFD7AXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:58mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为55A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为58mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高耐温特性，适用于高频、高效率的电源系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时在高功率密度设计中可有效降低热管理复杂度，适合对能效和体积有严苛要求的电力电子应用。
