IPW65R045C7FKSA1-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:44mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻RDS(ON)为44mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。其宽驱动电压范围有助于提升开关可靠性，低导通电阻可有效降低导通损耗，适用于高效率、高频率的功率转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备中的直流-直流或直流-交流变换环节。
