STW62N65M5-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:58mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为58mΩ，在-10V至@5V的栅源电压范围内稳定工作。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与导通损耗，适用于对能效和热管理要求较高的电力电子系统。其电气参数组合使其能够在高功率密度设计中提供可靠性能，同时支持紧凑型电路布局。
