STWA65N045M9-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:44mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备70A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压，导通电阻为44mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场和高热导率特性，在高频开关应用中可显著降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。适用于高功率密度电源、可再生能源逆变系统及对能效和热管理要求较高的电力电子设备。
