STW34N65M5-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:32A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为32A，最大漏源电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景，可有效提升系统整体性能与可靠性。
