IPW65R110CFDAFKSA1-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:32A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为32A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源、可再生能源转换系统及对功率密度和散热性能有较高要求的电力电子应用场合。
