TW015Z65C,S1F_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:189A 参数2：VDSS:750V 参数3：RDON:11mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有189A的连续漏极电流（ID），漏源击穿电压（VDSS）为750V，导通电阻（RDS(on)）低至11mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高频开关性能，适用于高效率电源转换、可再生能源系统以及对热管理与空间布局要求严苛的电力电子应用。
