IXFN170N65X2-HXY_SOT-227_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-227 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：13/管装 参数1：ID:165A 参数2：VDSS:750V 参数3：RDON:11mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备165A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压达750V，导通电阻低至11mΩ，可在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。器件利用碳化硅材料优势，在高电压、大电流条件下仍保持优异的开关速度与低损耗特性，适用于高功率密度电源系统、可再生能源转换设备以及对效率和热性能要求严苛的电力电子应用。
