SIHG075N65E-GE3-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的漏极电流额定值和650V的漏源击穿电压，导通电阻为75mΩ，在栅源驱动电压范围-8V至@0V内可靠运行。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率开关环节。其电气参数组合有助于实现紧凑的电路布局与较高的系统能效。
