STW50N65DM2AG-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与高开关速度特性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其宽栅压容限提升了驱动兼容性，同时在高温环境下仍能保持稳定电气性能，适合用于对体积和热管理有较高要求的电力电子应用。
