STH30N65DM6-7AG-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:31A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有31A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子装置中。
