SIHG33N65EF-GE3-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:32A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中表现出较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算设备中的功率管理模块，能够在紧凑布局下维持良好的电气性能与可靠性。
