IMBG65R030M1HXTMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:73A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高频、高效率应用场景中表现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对功率密度和能效要求较高的电力转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频开关电源等。
