IPA65R099C6XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:24A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:95mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(ON)）为95mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备。其宽VGS范围增强了与不同驱动电路的兼容性，同时支持在较高结温下稳定运行。
