STW69N65M5-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:44mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和44mΩ的导通电阻，栅源电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，在高频工作时表现出较低的开关损耗与导通损耗，同时具备良好的热导性能。适用于高效率、高功率密度的电源系统，尤其在对体积、散热及能效有严格要求的电力电子设备中表现突出。
