NTBG060N065SC1-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:36mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为70A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为36mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备优异的开关速度和高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及高频开关电源等场合，能够在严苛电气环境下保持稳定性能。
