R6547ENZ4C13-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的漏极电流额定值，漏源击穿电压为650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和高频开关能力，在高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子模块中可有效降低导通与开关损耗，提升整体能效表现。
