STW35N65M5-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻典型值为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，在高频工作条件下展现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热导性能和稳定性。适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对体积和能效有较高要求的电力电子应用场合。
