NVH4L110N65S3F-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统。其电气参数组合使其能够在高电压、中等电流条件下维持良好的性能稳定性，适合用于各类高效能电力电子装置中的开关功能实现。
