TK28N65W,S1F_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:32A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为94mΩ，可在栅源电压-10V至@5V范围内正常工作。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中表现出较低的导通损耗和优异的热稳定性。其电气参数组合适合用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类需要紧凑设计与高功率密度的电力电子应用场合。
