SIHG041N65SF-GE3-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:44mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备70A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源转换系统。其电气参数适合用于对能效和紧凑布局有较高要求的电力电子应用中。
