STW38N65M5-4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为75mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性，适用于高频、高效率的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备等。其宽栅压范围提升了驱动电路的适应性，并有助于优化开关性能与热稳定性。
