C3M15120HB1_module-HB_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：module-HB 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：10/托盘 参数1：ID:117A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:15mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道结构，具备117A的连续漏极电流（ID）和1200V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高电压、大电流工作环境。其导通电阻（RDON）低至15mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统能效。碳化硅材料特性赋予器件优异的开关速度与热稳定性，支持高频工作模式。该器件常用于高压直流变换器、大功率开关电源模块、储能系统的能量管理电路以及光伏逆变装置中的主功率转换级，满足对功率密度、转换效率和长期可靠性有较高要求的电力电子拓扑应用。
