TPA65R360M_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻为260mΩ，在栅源电压范围-5V至!6V内稳定工作。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率电源转换、开关模式电源及各类电力电子系统中，可有效降低开关损耗并提升整体能效表现。
