SIR482DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧，在栅源电压（VGS）达20V时可确保可靠驱动。其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。适用于高电流开关电源、电池管理系统、电动工具及各类需要高效功率转换与快速开关响应的电子设备中，能够有效支持紧凑布局与热管理需求。
